Lam Research 全球產品事業群資深副總裁 Sesha Varadarajan 指出，VECTOR TEOS 3D 能沉積業界最厚、且無空隙的晶片間介電層薄膜，並可根據先進堆疊方案的嚴苛需求進行客製化，即便在高應力、翹曲嚴重的晶圓環境下也能適用。他強調，該設備是 Lam 在先進封裝解決方案組合中的新成員，能提供差異化的原子級創新，協助晶片製造商突破摩爾定律的限制，迎接 AI 驅動的新世代。
近年 AI 應用的爆炸性成長，帶動市場對高效能運算晶片的龐大需求。晶片製造商紛紛導入 3D 先進封裝與小晶片（chiplet）架構，將記憶體與處理單元緊密結合，藉此縮短電路路徑、提升處理速度與效能。然而，隨著堆疊高度與複雜度提升，製程挑戰同步增加，晶圓應力引發的翹曲、以及薄膜裂縫與空隙都可能降低良率。VECTOR TEOS 3D 正是為此而生，能以奈米級精度沉積厚達 60 微米的介電薄膜，並具備延展至 100 微米以上的能力。這類薄膜不僅支撐結構與熱力學需求，還能避免層狀剝離等常見封裝失效。
在硬體設計上，TEOS 3D 內建 Lam Research 獨創的翹曲晶圓載盤技術，並配合最佳化的載盤設計，能於處理厚晶圓時維持穩定性，即便面對極端翹曲狀況，依舊可實現均勻沉積效果。這項突破大幅提升先進封裝的製程可行性，讓高良率量產成為可能。
Lam Research 在先進封裝領域已深耕逾 15 年，並在介電薄膜沉積累積數十年的專業經驗。VECTOR TEOS 3D 建立於既有的 VECTOR Core 與 TEOS 系列基礎上，不僅象徵該公司在整合封裝材料與製程創新上的持續進展，更進一步強化其在全球半導體供應鏈的領先地位。官方表示，TEOS 3D 是完整產品組合中的關鍵拼圖，未來將持續推動製程效率、良率與生產力，助力晶片製造商在 AI 與 HPC 的浪潮下搶占市場先機。