聯電指出，與英特爾合作12奈米製程進度穩定，目前雙方團隊正全力開發高效能試產線，預計2026年6月將釋出PDK設計套件給首波客戶，並於2027年開始貢獻營收。目前尚無往12奈米以下的新計畫，未來將持續聚焦該節點開發，並透過與合作夥伴密切合作，打造具市場競爭力的解決方案。
法人關注美國潛在關稅調整對營運的影響，聯電坦言，第二季與第三季的部分需求確實因應關稅預期而出現提前拉貨與庫存建立。不過，聯電全年展望維持不變，認為地緣政治與總體經濟的不確定性，可能使市場季節性模式產生變化，因此將與客戶緊密合作、靈活調整產能配置。
聯電透露，公司已積極佈局先進封裝領域，開發DTC中介層與2.5D封裝技術，以因應AI處理器高功耗與高頻寬的運算需求。此外，聯電也透過晶圓對晶圓（WoW）堆疊、TSD等技術，已量產應用於5G與6G RFIC，並持續開發記憶體堆疊與大尺寸封裝方案，全面布局高效能運算（HPC）市場。
聯電指出，中國12吋晶圓廠目前維持滿載，利用率高於全公司平均，並強調全球採集中化業務管理，目前地區之間未有價格差異。對於IDM客戶希望進入中國生產的可能性，聯電也樂於配合，將多元製造基地視為提供供應鏈韌性的重要優勢。
針對中國晶圓代工對手競爭壓力，聯電重申，公司超過五成營收來自技術差異化製程，包含低漏電、低功耗、高壓元件、嵌入式記憶體與RF SOI等領域。聯電強調，未來與中國代工廠競爭高度重疊的營收占比將持續下降，並將持續朝「專業晶圓代工夥伴」方向發展，強化其在專業技術市場的地位與客戶黏著度。