中國DRAM大廠長鑫存儲先前才爆發合肥廠生產線出現人為失誤，導致數萬片晶圓報廢，關鍵產品無法按時交貨，影響該公司在市場上的公信力，在公司調查後，針對營運中心負責人、合肥晶圓廠廠長等高層都遭到懲處。長鑫存儲在在中國政府半導體國產化支持下，快速成長為中國最大的DRAM廠商，據傳長鑫存儲已經獲得HBM需要用到的記憶體組裝與測試機台，並預計在合肥附近籌措資金建立HBM生產線。
根據彭博報導，拜登政府將在下週宣布最新管制措施，然而，這項消息已經從今年中討論到現在，因為受到荷蘭、日本等盟國反彈，經過數個月的協商，終於才把這項管制措施討論出來。原先，美國政府考慮制裁華為相關的6家供應商，但是最新版本只列入部分華為供應商進入實體清單，長鑫存儲卻沒有被列入其中。
這對於美國半導體設備商來說是個好消息，因為他們反對美國過度緊縮對中國出貨半導體設備，這讓他們與日本或是荷蘭廠商競爭處於弱勢。不過，這對於目前在HBM領域較有進展的廠商，包括三星電子、SK海力士、美光來說影響較深。