漢磊指出，上半年合併營收26.62億元、年減6.8%，每股虧損1.02元。總經理劉燦文表示，下半年與上半年相較將有雙位數成長，化合物半導體整體回升，其中GaN動能轉弱、由SiC接棒，尤其看好SiC切入資料中心HVDC架構的需求復甦。
漢磊強調，迎戰下一波成長的關鍵武器為即將量產的SiC MOSFET Gen4平台。該平台已完成主要客戶可靠度驗證，相較第三代產品，效能提升逾20%、晶片面積縮小約20%，有助客戶以更小晶粒獲得更佳導通/損耗表現，提升系統成本競爭力。公司規劃今年第4季開始小量生產，2026年有望成為營收主力。
此外，漢磊與世界先進合作8吋化合物半導體SiC產線，採技術＋客戶由漢磊負責、營運由世界先進的分工模式，訴求以更具成本效率的方式擴充供給。新線月產能規劃1,500片，預計2026年第二季試產、第四季即可針對工業與消費性產品量產，為中長期成長奠定基礎。
漢磊看好AI資料中心功耗攀升、800V級HVDC架構普及，將帶動SiC功率元件滲透率加速提升；除電動車、光儲充外，家電、空調、壓縮機等亦見導入跡象。GaN方面，雖短期動能不如SiC，但受惠高效率、小體積特性，在人形機器人關節馬達驅動等新興應用可望打開缺口。
針對外界熱議的12吋SiC進入先進封裝領域議題，漢磊與嘉晶董事長徐建華表示，該議題與兩家公司目前並無直接關聯。徐建華指出，SiC基板長期供應格局或因非中系選擇增加而變化，但以現階段而言，對漢磊與嘉晶的實質連動仍有限。