Glen Wilk指出，隨AI與高效能運算需求攀升，晶片正加速垂直3D化，沉積製程的精準度與厚度控制成為核心挑戰。ASM的ALD與Epi技術能在GAA與CFET架構中提供原子級均勻性與覆蓋率，支援高密度、低功耗設計。他並提出「選擇性沉積（ASD）」技術，能只在指定位置沉積材料，有助提升良率與可靠度，適用於先進製程與異質整合應用。
隨著FinFET走向極限，GAA與CFET成為主流。Glen Wilk強調，GAA時代通道不再依賴微影蝕刻，而是透過磊晶「長出來」，使磊晶技術在先進邏輯製程中地位更形關鍵。他也指出，自7奈米起，線寬微縮放緩，性能提升更多仰賴設計技術協同優化（DTCO）、系統技術協同優化（STCO）及先進封裝，進一步凸顯薄膜沉積的精準控制需求。
ASM今年亦參與AI半導體技術概念區，設置互動攤位並推出「原子層沉積大師」遊戲，讓參觀者透過數位裝置模擬工程師堆疊導電層、介電層與3D結構層，體驗原子級精準工藝。
ASM目前在ALD市佔率逾五成，連續八年維持雙位數成長，並計畫至2028年前持續擴編。台灣總經理呂秉澄表示，公司已深耕台灣近20年，近五年規模成長三倍，據點遍及林口、新竹、台中、台南與高雄。今年至2026年底將新增逾百個職缺，並持續強化國際訓練與跨國輪調機制，展現台灣工程師在全球布局的關鍵角色。