根據SemiconVoice報導指出，根據長鑫存儲的內部文件指出，此起因為人為失誤所導致的數萬片晶圓報廢事件，導致產線出現良率與品管的重大損失，關鍵產品無法按時交貨，影響該公司在市場上的公信力，在公司調查後，針對營運中心負責人、合肥晶圓廠廠長等高層都遭到懲處。
值得注意的是，有消息指出，這次合肥晶圓廠的高層當中，有曾經擔任台積電上海松江廠廠長的高層也遭到牽連，報導指稱，當年就是這名高層帶著台積電中國廠區的部分工程師跳槽到長鑫存儲。
長鑫存儲2016年成立後，在中國政府半導體國產化支持下，快速成為中國最大的DRAM廠商，隨著美國政府打壓中國AI產業發展，其中最關鍵的產品為高頻寬記憶體（HBM）也遭到斷供，根據先前媒體報導，長鑫存儲也計畫進軍HBM，據傳長鑫存儲已經獲得HBM需要用到的記憶體組裝與測試機台，並預計在合肥附近籌措資金建立HBM生產線。
長鑫存儲主要產品為17和18 奈米DDR4 和 LPDDR4，最新產品為12奈米DDR5、LPDDR5X。長鑫存儲DRAM總產能從2022年每月7萬片，快速成長到2023年12萬片，2024年將達到20萬片，而快速擴產行動也對DRAM市場報價造成巨大壓力，除了擁有最高利潤的HBM仍支撐記憶體市場之外，其他產品的市況仍然不佳。