ALTUS Halo 是科林研發 ALTUS 產品系列的最新成員，協助晶片製造商克服微縮挑戰。隨著市場對效能需求提升，更先進的半導體製程變得不可或缺。目前，原子級金屬沉積技術已成為先進晶片製造的關鍵。科林研發二十多年前率先開發鎢原子層沉積技術，廣泛應用於接點和線路沉積。然而，隨著 NAND、DRAM 和邏輯元件進一步微縮，晶片製造商需尋找更低電阻率的金屬化技術，ALTUS Halo 的推出，將引領半導體產業從鎢轉型到鉬的過程。
科林研發全球產品事業群資深副總裁 Sesha Varadarajan 表示，ALTUS Halo 是 20 多年來原子層沉積領域的最重大突破。該設備結合了 Quad-Station 模組架構與 ALD 技術進展，實現高精度、低電阻率的鉬沉積，滿足 1,000 層 3D NAND、4F2 DRAM 及先進環繞式閘極邏輯元件的需求。
半導體運作需透過電子訊號快速傳輸，當無法使用銅時，傳統上是以鎢填充奈米級導線。在傳統的鎢佈線中，需要增加額外的阻障層以防止不必要的電子相互作用，隨著 NAND、DRAM 和邏輯元件微縮到更複雜架構像是 3D 整合，電子訊號必須透過更嚴格的連接傳輸。這增加了潛在的瓶頸並使速度變慢，而且在某些情況下還可能發生電子短路。
鉬則能克服此限制，主要是在奈米級線路具有更低電阻率，而且不需要粘附層或阻障層，可減少製程步驟，提高生產效率與晶片運行速度。科林研發憑藉創新沉積技術，率先在量產環境中應用鉬 ALD，並使其成為可行方案。相比傳統鎢金屬化，ALTUS Halo 可提供超過 50% 的電阻改善。
ALTUS Halo 針對不同金屬化需求進行最佳化，透過化學與導熱靈活性，以及電漿技術適應溫度敏感元件，實現精確沉積。該技術已獲 3D NAND 製造商初期採用，並於韓國、新加坡的晶圓廠部署，在邏輯晶圓廠亦有應用，與 DRAM 客戶則持續開發中。
美光科技 NAND 開發企業副總裁 Mark Kiehlbauch 表示，鉬金屬化的整合使美光科技能夠率先向市場推出領先業界 I/O 頻寬和儲存容量的最新世代 NAND 產品。科林研發的 ALTUS Halo 設備使美光科技將鉬投入量產成為可能。