長鑫存儲目前在全球DRAM市場的產能占比達13%，但其出貨量與營收占比分別僅為6%與3.7%，這反映出技術落後與良率較低的問題，導致產出與效益低於預期。不過，隨著技術的逐步提升，這些差距有望在未來幾年內縮小。長鑫存儲的月產能目前已達23萬片晶圓，並計劃在2025年提升至33萬片，接近美國第三大DRAM製造商美光（Micron）的水平。
技術進步是長鑫存儲突破瓶頸的關鍵所在。雖然該公司目前的技術水平落後於國際競爭對手三代，但其計劃於2025年量產與「1z」製程相當的「Gen 4」技術，並大規模生產DDR5記憶體。然而，由於DDR5的良率尚未突破50%，能否如期實現量產仍是未知數。同時，長鑫存儲也積極研究高介電常數金屬閘極（HKMG）與3D DRAM技術，以提升產品的功耗表現與速度，這些技術突破將對其未來市場競爭力產生深遠影響。
美國對中國記憶體產業的設備出口限制雖然帶來挑戰，但也促使中國企業加速推動設備與材料的本地化進程。長鑫存儲已為2025年的擴產計劃購置所需設備，即便限制加劇，其短期產能仍能順利推進。然而，若進一步擴產，從2026年起將需依賴國產設備，這對中國的技術突破提出了更高要求。同時，中國政府對記憶體產業的補貼政策，正從移動市場擴展至PC與伺服器領域，為企業提供更多支持。
生成式AI與電動車市場的快速發展，為中國記憶體產業帶來了新的機遇。例如，NVIDIA近期推出的個人超級電腦Project Digits，採用了128GB LPDDR5X記憶體，顯示出生成式AI技術對記憶體需求的拉動效應。隨著AI技術在電動車與物聯網等領域的應用拓展，中國記憶體企業有望在中低階市場發揮更大作用，特別是在成本與供應鏈效率方面具備優勢。
Counterpoint Research研究總監MS Hwang指出，中國記憶體產業的崛起將對全球市場格局產生深遠影響。雖然目前仍面臨技術與良率的挑戰，但隨著生成式AI與電動車等新興應用帶來的需求增長，中國有望在中低階市場建立穩固地位。持續的技術創新與國際化策略，將是中國記憶體企業突破瓶頸並實現更大發展的關鍵。
中國記憶體產業正處於快速成長的關鍵階段。儘管挑戰重重，但其技術進步、政策支持與市場機遇的結合，為未來的發展奠定了堅實基礎。隨著全球市場需求的變化，中國記憶體企業能否抓住這一波浪潮，成為全球市場的重要玩家，將是未來數年內值得關注的焦點。